| STH150N10F7-2 | |
|---|---|
| Тип продуктов | STH150N10F7-2 |
| производитель | STMicroelectronics |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Кол-во в наличии | 21288 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | 1.STH150N10F7-2.pdf2.STH150N10F7-2.pdf3.STH150N10F7-2.pdf4.STH150N10F7-2.pdf |
| STH150N10F7-2 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация STH150N10F7-2 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | STH150N10F7-2 | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | STMicroelectronics | Описание | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Пакет / чехол | H2Pak-2 | Кол-во в наличии | 21288 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | H2Pak-2 |
| Серии | DeepGATE™, STripFET™ VII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
| Статус продукта | Active | Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8115 pF @ 50 V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 110A (Tc) | Базовый номер продукта | STH150 |
| Скачать | STH150N10F7-2 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
STH150N10F7-2
Введение
N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для высокоэффективных приложений управления питанием
Бренд и производитель
STMicroelectronics
Характеристики
N-канальный МОП-транзистор
Повышенная эффективность и тепловые характеристики
Подходит для приложений с высокой плотностью мощности
Производительность продукта
Высокий постоянный ток стока: 110A
Низкое сопротивление в открытом состоянии: 3.9 мОм
Технические характеристики
Напряжение сток-исток: 100В
Постоянный ток стока: 110A
Рассеивание мощности: 250W
Сопротивление в открытом состоянии: 3.9 мОм
Заряд затвора: 117нК
Входная ёмкость: 8115пФ
Напряжение управления: 10В
Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В
Габариты, форма и упаковка
Корпус: TO-263-3, DPak (2 вывода + площадка), TO-263AB
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (Без ограничений)
Без свинца и соответствует стандартам RoHS для экологической безопасности
Преимущества продукта
Высокая способность к протеканию тока и эффективность в преобразовании энергии
Конкурентоспособность продукта
Успешно позиционирован в сегментах рынка МОП-транзисторов для питания
Совместимость
Совместим с технологией поверхностного монтажа для упрощения сборки
Стандарты сертификации и соответствие
Соответствует стандарту RoHS
Статус без свинца
Срок службы и устойчивость
Разработан для долгосрочной надежности в различных условиях эксплуатации
Области реального применения
Блоки питания
Приводы моторов
Системы управления батареями
Переключающие регуляторы
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ STH150N10F7-2 Online.
| STH150N10F7-2 сток | STH150N10F7-2 Цена | STH150N10F7-2 Электроника | |||
| STH150N10F7-2 Компоненты | STH150N10F7-2 Инвентарь | STH150N10F7-2 Digikey | |||
| Поставщик STH150N10F7-2 | Заказать STH150N10F7-2 онлайн | Запрос STH150N10F7-2 | |||
| STH150N10F7-2 Image | STH150N10F7-2 фото | STH150N10F7-2 PDF | |||
| STH150N10F7-2 Datasheet | Скачать таблицу STH150N10F7-2 | Производитель | |||
| Связанные части для STH150N10F7-2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
STH140N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH13NB60FI | STH13NB60FI ST | ST | ||
|
STH15NB50F | STH15NB50F ST | ST | ||
|
STH160N4LF6-2 MOS | ST TO-263 | ST | ||
|
STH15810-2 MOSFETIGBTIC | ST TO263 | ST | ||
|
STH160N4LF6-2 | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH15810-2Z1 | SY TO263 | SY | ||
|
STH15810-2 15810 | ST TO-263 | ST | ||
|
STH15NB50FI | MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 | STMicroelectronics | ||
|
STH140N6F7 | ST | |||
|
STH15NA50FI | STH15NA50FI ST | ST | ||
|
STH15810-2 IC | ST TO-263 | ST | ||
|
STH140N6F7-2 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH143002.1 | UTAC LQFP48 | UTAC | ||
|
STH145N8F7-2AG | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH13NB60F1 | STH13NB60F1 ST | ST | ||
 |
STH140N6F7-6 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6 | STMicroelectronics | ||
|
STH143004.1 | STH QFP48 | STH | ||
|
STH14808-2 | STH14808-2 ST | ST | ||
|
STH15810-2 | STH15810-2 ST | ST | ||
Новости
Больше
19 апреля 2026 года (по местному времени) сообщения СМИ со ссылкой на источники, знако...
По данным *The Business Times*, пилотная производственная линия TSMC CoPoS (чип-на-панели-на-под...
6 апреля по местному времени американский технологический гигант искусственного ...
1 апреля Microsoft объявила, что инвестирует 5,5 миллиардов долларов в Сингапур для прод...
Samsung Electronics станет первой компанией, которая будет эксклюзивно поставлять свой HBM4 ...
новые продукты
Больше
Texas Instruments TPS925442-Q1 Контроллер Boost Synchronous содержит синхронный контроллер Boost и двухка...
Toshiba TB67H453 Одноканальный драйвер H-Bridge имеет функцию мониторинга тока с обратной св...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Аутентификация ICS представляют собой очень безопасные интегриро...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Оптимизированная аутентификация ICS использует передовые криптогр...
Диоды включали PI3DPX1235Q 6: 4.PI3DPX1235Q соответствует VESA DP ALT 2.1 UHBR13.5 и USB 3.2 Gen Два отраслевы...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.