| MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | |
|---|---|
| Тип продуктов | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F |
| производитель | Micron Technology Inc. |
| Описание | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| Кол-во в наличии | 1171 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | 1.MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F.pdf2.MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F.pdf3.MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F.pdf |
| MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | категория | Интегральные схемы (ICs) |
| производитель | Micron Technology | Описание | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| Пакет / чехол | 63-VFBGA (9x11) | Кол-во в наличии | 1171 pcs |
| Время цикла записи - слово, страница | - | Напряжение тока - поставка | 2.7V ~ 3.6V |
| Технологии | FLASH - NAND | Поставщик Упаковка устройства | 63-VFBGA (9x11) |
| Серии | - | Упаковка / | 63-VFBGA |
| Упаковка | Tray | Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки | Surface Mount | Тип памяти | Non-Volatile |
| Размер памяти | 1Gbit | Организация памяти | 128M x 8 |
| Интерфейс памяти | Parallel | Формат памяти | FLASH |
| Базовый номер продукта | MT29F1G08 | ||
| Скачать | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F PDF - EN.pdf | ||
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
Это невольтажное памятное устройство, изготовленное компанией Micron Technology.
Micron Technology
Устаревший статус продукта, использует технологию Flash-NAND, организация памяти: 128M x 8, параллельный интерфейс памяти, тип крепления: поверхностное монтажное.
Размер памяти: 1Гбит, диапазон подаваемого напряжения: 2,7В до 3,6В, работает в температурном диапазоне от -40°C до 85°C, не включает время цикла записи для слова или страницы.
Имеет поставщичье упаковочное решение 63-VFBGA (9x11), основано на номере продукта MT29F1G08, это невольтажное памятное устройство.
Поставляется в упаковке 63-VFBGA, детали формы и размера не предоставлены.
Производитель Micron Technology известен своим качеством и надежностью.
Эффективное потребление энергии в диапазоне 2,7В до 3,6В, способность выдерживать экстремальные температурные условия от -40°C до 85°C, невольтажная память обеспечивает сохранение данных при отключении питания.
Основано на устаревшем дизайне продукта, что может ограничивать его конкурентоспособность; преимущества заключаются в устойчивости к температуре и типе невольтажной памяти.
Совместимо с системами, поддерживающими организацию памяти 128M x 8 и размер памяти 1Гбит.
Детали не предоставлены.
Зависит от конкретного использования. Более интенсивное использование кеша может сократить срок службы — невольтажная память обычно имеет более длительный срок службы, чем вольтажные типы памяти.
Области, требующие высоких температурных условий работы и сохранения данных при отключении питания.
| Складские запасы MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Цена MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Электроника MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F |
| Компоненты MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Наличие MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F Digikey |
| Поставщик MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Заказать MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F онлайн | Запрос по MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F |
| Изображение MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Фото MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F PDF |
| Техническое описание MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Скачать техническое описание MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | Производитель Micron Technology |