SI7309DN-T1-GE3 | |
---|---|
Тип продуктов | SI7309DN-T1-GE3 |
производитель | Vishay Siliconix |
Описание | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK |
Кол-во в наличии | 25731 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | |
SI7309DN-T1-GE3 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация SI7309DN-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | SI7309DN-T1-GE3 | категория | Дискретные полупроводниковые приборы |
производитель | Vishay / Siliconix | Описание | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK |
Пакет / чехол | Tape & Reel (TR) | Кол-во в наличии | 25731 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 |
Серии | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 3.9A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 600pF @ 30V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V | Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8A (Tc) |
Скачать | SI7309DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI7309DN-T1-GE3 сток | SI7309DN-T1-GE3 Цена | SI7309DN-T1-GE3 Электроника |
SI7309DN-T1-GE3 Компоненты | SI7309DN-T1-GE3 Инвентарь | SI7309DN-T1-GE3 Digikey |
Поставщик SI7309DN-T1-GE3 | Заказать SI7309DN-T1-GE3 онлайн | Запрос SI7309DN-T1-GE3 |
SI7309DN-T1-GE3 Image | SI7309DN-T1-GE3 фото | SI7309DN-T1-GE3 PDF |
SI7309DN-T1-GE3 Datasheet | Скачать таблицу SI7309DN-T1-GE3 | Производитель Vishay / Siliconix |
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.