| JAN1N1190R | |
|---|---|
| Тип продуктов | JAN1N1190R |
| производитель | Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 |
| Кол-во в наличии | 583 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | 1.JAN1N1190R.pdf2.JAN1N1190R.pdf3.JAN1N1190R.pdf4.JAN1N1190R.pdf |
| JAN1N1190R Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация JAN1N1190R | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | JAN1N1190R | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | Micrel / Microchip Technology | Описание | DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 |
| Пакет / чехол | DO-5 | Кол-во в наличии | 583 pcs |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.4 V @ 110 A | Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard, Reverse Polarity | Поставщик Упаковка устройства | DO-5 |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Серии | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| Упаковка / | DO-203AB, DO-5, Stud | Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C | Тип установки | Chassis, Stud Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V | Текущий - средний выпрямленный (Io) | 35A |
| Емкостной @ В.Р., F | - | Базовый номер продукта | 1N1190 |
| Скачать | JAN1N1190R PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или отправьте RFQ для JAN1N1190R онлайн.
| Складские запасы JAN1N1190R | Цена JAN1N1190R | Электроника JAN1N1190R | |||
| Компоненты JAN1N1190R | Наличие JAN1N1190R | JAN1N1190R Digikey | |||
| Поставщик JAN1N1190R | Заказать JAN1N1190R онлайн | Запрос по JAN1N1190R | |||
| Изображение JAN1N1190R | Фото JAN1N1190R | JAN1N1190R PDF | |||
| Техническое описание JAN1N1190R | Скачать техническое описание JAN1N1190R | Производитель Micrel / Microchip Technology | |||
| Связанные части для JAN1N1190R | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
JAN1N1189B | IR New | IR | ||
|
JAN1N1190AR | MOTOROLA New | MOTOROLA | ||
|
JAN1N1193AR | IR New | IR | ||
 |
JAN1N1200RA | MICROSEMI New | MICROSEMI | ||
|
JAN1N1189 | MOTOROLA New | MOTOROLA | ||
|
JAN1N1193B | IR New | IR | ||
 |
JAN1N1188R | DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5 | Microchip Technology | ||
|
JAN1N1197AR | IR New | IR | ||
|
JAN1N1197B | IR New | IR | ||
|
JAN1N1186R | DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5 | Microchip Technology | ||
|
JAN1N1199B | MICROSEMI New | MICROSEMI | ||
|
JAN1N1186 | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Microchip Technology | ||
|
JAN1N1188B | IR New | IR | ||
|
JAN1N1188 | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Microchip Technology | ||
|
JAN1N1198A | IR New | IR | ||
|
JAN1N1199R | IR New | IR | ||
|
JAN1N1188A | MOTOROLA New | MOTOROLA | ||
|
JAN1N1190 | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Microchip Technology | ||
|
JAN1N1195R | IR New | IR | ||
|
JAN1N1198B | IR New | IR | ||
Новости
Больше
19 апреля 2026 года (по местному времени) сообщения СМИ со ссылкой на источники, знако...
По данным *The Business Times*, пилотная производственная линия TSMC CoPoS (чип-на-панели-на-под...
6 апреля по местному времени американский технологический гигант искусственного ...
1 апреля Microsoft объявила, что инвестирует 5,5 миллиардов долларов в Сингапур для прод...
Samsung Electronics станет первой компанией, которая будет эксклюзивно поставлять свой HBM4 ...
новые продукты
Больше
Texas Instruments TPS925442-Q1 Контроллер Boost Synchronous содержит синхронный контроллер Boost и двухка...
Toshiba TB67H453 Одноканальный драйвер H-Bridge имеет функцию мониторинга тока с обратной св...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Аутентификация ICS представляют собой очень безопасные интегриро...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Оптимизированная аутентификация ICS использует передовые криптогр...
Диоды включали PI3DPX1235Q 6: 4.PI3DPX1235Q соответствует VESA DP ALT 2.1 UHBR13.5 и USB 3.2 Gen Два отраслевы...
Эл. почта: Info@ariat-tech.comHK ТЕЛ.: +852 30501966АДРЕС: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Уведомление об авторских правах © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Все права защищены.