| IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXTY1R6N100D2 |
| производитель | IXYS |
| Описание | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
| Кол-во в наличии | 60467 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | IXTY1R6N100D2.pdf |
| IXTY1R6N100D2 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXTY1R6N100D2 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXTY1R6N100D2 | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | IXYS / Littelfuse | Описание | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
| Пакет / чехол | TO-252AA | Кол-во в наличии | 60467 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | - | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | Depletion | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 100W (Tc) | Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | Depletion Mode | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1000 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IXTY1 | ||
| Скачать | IXTY1R6N100D2 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
IXTY1R6N100D2
Введение
Высоковольтный, N-канальный MOSFET режима истощения
Бренд и производитель
IXYS Corporation
Характеристики
N-канальный MOSFET
Режим истощения
Высокое напряжение пробоя: 1000В (1кВ)
Заряд затвора (макс.): 27нК
Производительность продукта
Непрерывный ток стока: 1.6А при 25°C
Рассеивание мощности (макс.): 100Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 10 Ом при 800мA, 0В
Низкий заряд затвора
Технические характеристики
Тип FET: N-канальный
Напряжение от стока до источника (Vdss): 1000В
Ток - непрерывный сток (Id): 1.6А
Rds On: 10 Ом
Входная емкость (Ciss): 645пФ
Габариты, форма и упаковка
TO-252-3, DPak (2 вывода + площадка), корпус SC-63
Монтаж на поверхность
Упаковано в трубки
Качество и надежность
Работает при температуре от -55°C до 150°C
Преимущества продукта
Надежная конструкция для высоковольтных приложений
Конкурентоспособность продукта
Оптимизирован для преобразования мощности
Совместимость
Совместим с современными методами монтажа на поверхность
Стандарты сертификации и соответствие
Соответствует стандарту RoHS
Безсвинцовый
Срок службы и устойчивость
Разработан для долгосрочной надежности
Области реального применения
Управление мощностью
Системы регулирования напряжения
Блоки питания импульсного типа (SMPS)
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или отправьте RFQ для IXTY1R6N100D2 онлайн.
| Складские запасы IXTY1R6N100D2 | Цена IXTY1R6N100D2 | Электроника IXTY1R6N100D2 | |||
| Компоненты IXTY1R6N100D2 | Наличие IXTY1R6N100D2 | IXTY1R6N100D2 Digikey | |||
| Поставщик IXTY1R6N100D2 | Заказать IXTY1R6N100D2 онлайн | Запрос по IXTY1R6N100D2 | |||
| Изображение IXTY1R6N100D2 | Фото IXTY1R6N100D2 | IXTY1R6N100D2 PDF | |||
| Техническое описание IXTY1R6N100D2 | Скачать техническое описание IXTY1R6N100D2 | Производитель IXYS / Littelfuse | |||
| Связанные части для IXTY1R6N100D2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXTY1R4N60P | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | IXYS | ||
 |
IXTY1N120PTRL | MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY26P10T-TRL | MOSFET P-CH 100V 26A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N50P | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY24N15T | MOSFET N-CH 150V 24A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N100P | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N60P TRL | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N50D2-TRL | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA | IXYS | ||
|
IXTY26P10T | MOSFET P-CH 100V 26A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N120PHV | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1N80P-TRL | MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N120P-TRL | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA | IXYS | ||
|
IXTY2N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N100D2-TRL | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | IXYS | ||
Новости
Больше
19 апреля 2026 года (по местному времени) сообщения СМИ со ссылкой на источники, знако...
По данным *The Business Times*, пилотная производственная линия TSMC CoPoS (чип-на-панели-на-под...
6 апреля по местному времени американский технологический гигант искусственного ...
1 апреля Microsoft объявила, что инвестирует 5,5 миллиардов долларов в Сингапур для прод...
Samsung Electronics станет первой компанией, которая будет эксклюзивно поставлять свой HBM4 ...
новые продукты
Больше
Texas Instruments TPS925442-Q1 Контроллер Boost Synchronous содержит синхронный контроллер Boost и двухка...
Toshiba TB67H453 Одноканальный драйвер H-Bridge имеет функцию мониторинга тока с обратной св...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Аутентификация ICS представляют собой очень безопасные интегриро...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Оптимизированная аутентификация ICS использует передовые криптогр...
Диоды включали PI3DPX1235Q 6: 4.PI3DPX1235Q соответствует VESA DP ALT 2.1 UHBR13.5 и USB 3.2 Gen Два отраслевы...
Эл. почта: Info@ariat-tech.comHK ТЕЛ.: +852 30501966АДРЕС: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Уведомление об авторских правах © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Все права защищены.