| IXTT140P10T | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXTT140P10T |
| производитель | IXYS |
| Описание | MOSFET P-CH 100V 140A TO268 |
| Кол-во в наличии | 1467 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | IXTT140P10T.pdf |
| IXTT140P10T Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXTT140P10T | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXTT140P10T | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | IXYS / Littelfuse | Описание | MOSFET P-CH 100V 140A TO268 |
| Пакет / чехол | TO-268AA | Кол-во в наличии | 1467 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±15V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-268AA |
| Серии | TrenchP™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 70A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 568W (Tc) | Упаковка / | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 31400 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 400 nC @ 10 V | Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 140A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IXTT140 | ||
| Скачать | IXTT140P10T PDF - EN.pdf | ||
IXTT140P10T
MOSFET P-канала, предназначенный для высоковольтных и высокоскоростных переключающих приложений.
IXYS Corporation
MOSFET P-канала
Технология металлооксидного полупроводника
Монтажный корпус на поверхности
Высокая способность пропускания тока
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Высокая мощность рассеиваемого тепла
Стабильная работа в диапазоне температур от -55°C до 150°C
Способен непрерывно пропускать ток стока 140A при 25°C
Максимальное рассеиваемое тепло 568W
Быстрые характеристики переключения
Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
Ток - Непрерывный сток (Id) при 25°C: 140A
Сопротивление Rds On (макс) при Id, Vgs: 12 мОм
Заряд затвора (Qg) при Vgs: 400nC
Входная ёмкость (Ciss): 31400pF
TO-268-3, DPak (2 вывода + табуляция), форма TO-268AA
Упаковка производителя TO-268
Упакован в трубочки
Без свинца / Соответствует RoHS для экологической безопасности
Высокая надежность для промышленных приложений
Эффективная конверсия энергии
Подходит для тяжелых условий эксплуатации
Простота интеграции благодаря конструкции для поверхностного монтажа
Конкурентные характеристики мощности и теплопередачи
Выигрышный в приложениях с высокой плотностью мощности
Совместим с технологией поверхностного монтажа
Соответствует RoHS, что способствует снижению воздействия на окружающую среду
Долгий срок службы при соблюдении условий эксплуатации
Разработан для устойчивой работы с материалами без свинца
Управление питанием
Приводы двигателей
Инверторы
Электронные источники питания
Электронные автомобильные системы
| Складские запасы IXTT140P10T | Цена IXTT140P10T | Электроника IXTT140P10T | |||
| Компоненты IXTT140P10T | Наличие IXTT140P10T | IXTT140P10T Digikey | |||
| Поставщик IXTT140P10T | Заказать IXTT140P10T онлайн | Запрос по IXTT140P10T | |||
| Изображение IXTT140P10T | Фото IXTT140P10T | IXTT140P10T PDF | |||
| Техническое описание IXTT140P10T | Скачать техническое описание IXTT140P10T | Производитель IXYS / Littelfuse | |||
| Связанные части для IXTT140P10T | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
IXTT140N10P-TRL | MOSFET N-CH 100V 140A TO268 | IXYS | ||
![]() |
IXTT11P50-TRL | MOSFET P-CH 500V 11A TO268 | IXYS | ||
![]() |
IXTT12N150HV-TRL | MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV | IXYS | ||
![]() |
IXTT1N250HV-TRL | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV | IXYS | ||
![]() |
IXTT170N10P-TR | MOSFET N-CH 100V 170A TO268 | IXYS | ||
| IXTT16P20 | MOSFET P-CH 200V 16A TO268 | IXYS | |||
| IXTT16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO268 | IXYS | |||
| IXTT140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO268 | IXYS | |||
![]() |
IXTT140N075L2HV | MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV | IXYS | ||
| IXTT1N250HV | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268 | IXYS | |||
| IXTT12N140 | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | IXYS | |||
| IXTT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO268 | IXYS | |||
| IXTT12N150 | MOSFET N-CH 1500V 12A TO268 | IXYS | |||
| IXTT16N20D2 | MOSFET N-CH 200V 16A TO268 | IXYS | |||
![]() |
IXTT140N075L2HV-TR | DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-26 | IXYS | ||
| IXTT12N150HV | MOSFET N-CH 1500V 12A TO268 | IXYS | |||
| IXTT16N50D2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO268 | IXYS | |||
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268 | IXYS | |||
| IXTT16N10D2 | MOSFET N-CH 100V 16A TO268 | IXYS | |||
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO268 | IXYS | |||
Новости
Больше
19 апреля 2026 года (по местному времени) сообщения СМИ со ссылкой на источники, знако...

По данным *The Business Times*, пилотная производственная линия TSMC CoPoS (чип-на-панели-на-под...

6 апреля по местному времени американский технологический гигант искусственного ...

1 апреля Microsoft объявила, что инвестирует 5,5 миллиардов долларов в Сингапур для прод...

Samsung Electronics станет первой компанией, которая будет эксклюзивно поставлять свой HBM4 ...
новые продукты
Больше
Texas Instruments TPS925442-Q1 Контроллер Boost Synchronous содержит синхронный контроллер Boost и двухка...

Toshiba TB67H453 Одноканальный драйвер H-Bridge имеет функцию мониторинга тока с обратной св...

STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Аутентификация ICS представляют собой очень безопасные интегриро...

STMICROELECTRONICS STSAFE-A Оптимизированная аутентификация ICS использует передовые криптогр...

Диоды включали PI3DPX1235Q 6: 4.PI3DPX1235Q соответствует VESA DP ALT 2.1 UHBR13.5 и USB 3.2 Gen Два отраслевы...
Эл. почта: Info@ariat-tech.comHK ТЕЛ.: +852 30501966АДРЕС: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.