| IXTP260N055T2 | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXTP260N055T2 |
| производитель | IXYS |
| Описание | MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB |
| Кол-во в наличии | 32900 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | IXTP260N055T2.pdf |
| IXTP260N055T2 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXTP260N055T2 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXTP260N055T2 | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | IXYS / Littelfuse | Описание | MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB |
| Пакет / чехол | TO-220-3 | Кол-во в наличии | 32900 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | TrenchT2™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 480W (Tc) | Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 10800 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 55 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 260A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IXTP260 | ||
| Скачать | IXTP260N055T2 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
IXTP260N055T2
Введение
Высокопроизводительный N-канальный MOSFET
Бренд и производитель
IXYS Corporation
Характеристики
Технология TrenchT2 для повышения эффективности; N-канал для большей эффективности и лучшей проводимости; Низкое значение Rds (on) для минимальных потерь мощности
Производительность продукта
Высокая способность к пропусканию тока до 260А; Поддерживает расширенный диапазон рабочих температур от -55°C до 175°C; Максимальное рассеивание мощности 480W при Tc
Технические характеристики
55V Напряжение стока до источника (Vdss); 3.3 мОм Rds On при 50A, 10V; 140нКл Заряд на затворе (Qg) при 10V; 10800пФ Входная ёмкость (Ciss) при 25V
Габариты, форма и упаковка
Корпус TO-220-3; Тип монтажа — через отверстие; Упаковано в трубках, стандартный размер TO-220AB
Качество и надежность
Строгие стандарты тестирования от IXYS Corporation; Безсвинцовый и соответствующий стандартам RoHS для защиты окружающей среды
Преимущества продукта
Высокая энергетическая эффективность для требовательных приложений; Прочный и надежный в различных температурных условиях
Конкурентоспособность продукта
Сильные характеристики в своем классе одиночных FETов MOSFETs; Устойчивый к тепловым нагрузкам
Совместимость
Совместим с различными электронными схемами, требующими высокий ток; Конструкция с монтажом через отверстия для простоты установки на печатной плате
Стандарты сертификации и соответствие
Соответствует отраслевым стандартам для электронных компонентов; Безсвинцовый / Соответствует стандартам RoHS
Срок службы и устойчивость
Долгий срок службы при заданных условиях; Устойчивый компонент с соблюдением экологических норм
Области реального применения
Системы управления энергией; Электрические автомобили и зарядные станции; Промышленные приводные установки; Высокопроизводительные вычисления и серверы
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или отправьте RFQ для IXTP260N055T2 онлайн.
| Складские запасы IXTP260N055T2 | Цена IXTP260N055T2 | Электроника IXTP260N055T2 | |||
| Компоненты IXTP260N055T2 | Наличие IXTP260N055T2 | IXTP260N055T2 Digikey | |||
| Поставщик IXTP260N055T2 | Заказать IXTP260N055T2 онлайн | Запрос по IXTP260N055T2 | |||
| Изображение IXTP260N055T2 | Фото IXTP260N055T2 | IXTP260N055T2 PDF | |||
| Техническое описание IXTP260N055T2 | Скачать техническое описание IXTP260N055T2 | Производитель IXYS / Littelfuse | |||
| Связанные части для IXTP260N055T2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXTP240N055T | MOSFET N-CH 55V 240A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP24P085T | MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP28P065T | MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP27N20T | MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB | IXYS | ||
 |
IXTP28N15P | MOSFET N-CH TO-220 | IXYS | ||
|
IXTP230N075T | IXYS | |||
|
IXTP230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB | IXYS | ||
 |
IXTP24N65X2M | MOSFET N-CH 650V 24A TO220 | IXYS | ||
|
IXTP230N04T4M | MOSFET N-CH 40V 230A TO220 | IXYS | ||
|
IXTP26P20 | IXTP26P20 IXYS | IXYS | ||
|
IXTP26P20P | MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP270N04T4 | MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP26P10T | MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP24N65X2 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP24N15T | MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB | IXYS | ||
|
IXTP2GP20P | IXYS TO220 | IXYS | ||
|
IXTP230N04T4 | MOSFET N-CH 40V 230A TO220AB | IXYS | ||
Новости
Больше
19 апреля 2026 года (по местному времени) сообщения СМИ со ссылкой на источники, знако...
По данным *The Business Times*, пилотная производственная линия TSMC CoPoS (чип-на-панели-на-под...
6 апреля по местному времени американский технологический гигант искусственного ...
1 апреля Microsoft объявила, что инвестирует 5,5 миллиардов долларов в Сингапур для прод...
Samsung Electronics станет первой компанией, которая будет эксклюзивно поставлять свой HBM4 ...
новые продукты
Больше
Texas Instruments TPS925442-Q1 Контроллер Boost Synchronous содержит синхронный контроллер Boost и двухка...
Toshiba TB67H453 Одноканальный драйвер H-Bridge имеет функцию мониторинга тока с обратной св...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Аутентификация ICS представляют собой очень безопасные интегриро...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Оптимизированная аутентификация ICS использует передовые криптогр...
Диоды включали PI3DPX1235Q 6: 4.PI3DPX1235Q соответствует VESA DP ALT 2.1 UHBR13.5 и USB 3.2 Gen Два отраслевы...
Эл. почта: Info@ariat-tech.comHK ТЕЛ.: +852 30501966АДРЕС: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Уведомление об авторских правах © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Все права защищены.