| IXTH26N60P | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXTH26N60P |
| производитель | IXYS |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 26A TO247 |
| Кол-во в наличии | 4808 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | IXTH26N60P.pdf |
| IXTH26N60P Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXTH26N60P | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXTH26N60P | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | IXYS / Littelfuse | Описание | MOSFET N-CH 600V 26A TO247 |
| Пакет / чехол | TO-247 (IXTH) | Кол-во в наличии | 4808 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-247 (IXTH) |
| Серии | Polar | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 500mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 460W (Tc) | Упаковка / | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4150 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 26A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IXTH26 | ||
| Скачать | IXTH26N60P PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или отправьте RFQ для IXTH26N60P онлайн.
| Складские запасы IXTH26N60P | Цена IXTH26N60P | Электроника IXTH26N60P | |||
| Компоненты IXTH26N60P | Наличие IXTH26N60P | IXTH26N60P Digikey | |||
| Поставщик IXTH26N60P | Заказать IXTH26N60P онлайн | Запрос по IXTH26N60P | |||
| Изображение IXTH26N60P | Фото IXTH26N60P | IXTH26N60P PDF | |||
| Техническое описание IXTH26N60P | Скачать техническое описание IXTH26N60P | Производитель IXYS / Littelfuse | |||
| Связанные части для IXTH26N60P | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXTH280N055T | MOSFET N-CH 55V 280A TO247 | IXYS | ||
 |
IXTH27N35MB | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH27N40MA | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH26P20P | MOSFET P-CH 200V 26A TO247 | IXYS | ||
|
IXTH25N45A | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH26N50A | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH27N35MA | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH260N055T2 | MOSFET N-CH 55V 260A TO247 | IXYS | ||
|
IXTH25N50A | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH25N45 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH250N075T | MOSFET N-CH 75V 250A TO247 | IXYS | ||
|
IXTH2N150L | MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 | IXYS | ||
|
IXTH270N04T4 | MOSFET N-CH 40V 270A TO247 | IXYS | ||
 |
IXTH28N50Q | IXTH28N50Q IXYS | S | ||
|
IXTH26N45 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH27N40MB | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH26N50 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH26N45A | IXYS New | IXYS | ||
|
IXTH2N150 | DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO | IXYS | ||
|
IXTH25N50 | IXYS New | IXYS | ||
Новости
Больше
19 апреля 2026 года (по местному времени) сообщения СМИ со ссылкой на источники, знако...
По данным *The Business Times*, пилотная производственная линия TSMC CoPoS (чип-на-панели-на-под...
6 апреля по местному времени американский технологический гигант искусственного ...
1 апреля Microsoft объявила, что инвестирует 5,5 миллиардов долларов в Сингапур для прод...
Samsung Electronics станет первой компанией, которая будет эксклюзивно поставлять свой HBM4 ...
новые продукты
Больше
Texas Instruments TPS925442-Q1 Контроллер Boost Synchronous содержит синхронный контроллер Boost и двухка...
Toshiba TB67H453 Одноканальный драйвер H-Bridge имеет функцию мониторинга тока с обратной св...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Аутентификация ICS представляют собой очень безопасные интегриро...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Оптимизированная аутентификация ICS использует передовые криптогр...
Диоды включали PI3DPX1235Q 6: 4.PI3DPX1235Q соответствует VESA DP ALT 2.1 UHBR13.5 и USB 3.2 Gen Два отраслевы...
Эл. почта: Info@ariat-tech.comHK ТЕЛ.: +852 30501966АДРЕС: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Уведомление об авторских правах © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Все права защищены.