| IXFN82N60Q3 | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXFN82N60Q3 |
| производитель | IXYS Corporation |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| Кол-во в наличии | 2839 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | |
| IXFN82N60Q3 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXFN82N60Q3 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXFN82N60Q3 | категория | Дискретные полупроводниковые приборы |
| производитель | IXYS Corporation | Описание | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| Пакет / чехол | Tube | Кол-во в наличии | 2839 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA | Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | SOT-227B |
| Серии | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 41A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 960W (Tc) | упаковка | Tube |
| Упаковка / | SOT-227-4, miniBLOC | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Chassis Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 275nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 66A |
| Скачать | IXFN82N60Q3 PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IXFN82N60Q3 Online.
| IXFN82N60Q3 сток | IXFN82N60Q3 Цена | IXFN82N60Q3 Электроника | |||
| IXFN82N60Q3 Компоненты | IXFN82N60Q3 Инвентарь | IXFN82N60Q3 Digikey | |||
| Поставщик IXFN82N60Q3 | Заказать IXFN82N60Q3 онлайн | Запрос IXFN82N60Q3 | |||
| IXFN82N60Q3 Image | IXFN82N60Q3 фото | IXFN82N60Q3 PDF | |||
| IXFN82N60Q3 Datasheet | Скачать таблицу IXFN82N60Q3 | Производитель IXYS Corporation | |||
| Связанные части для IXFN82N60Q3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXFP102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 | IXYS | ||
 |
IXFN80N60BD1 | IGBT Modules | IXYS | ||
 |
IXFN80N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | IXYS | ||
 |
IXFN9234 | ST New | ST | ||
|
IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 | IXYS | ||
|
IXFN80N50Q | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | IXYS | ||
|
IXFN94N50P2 | 500V POLAR2 HIPERFETS | IXYS | ||
|
IXFN82N60P | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN9024 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXFN90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN9233 | ST New | ST | ||
|
IXFN80N60P | IXYS New | IXYS | ||
|
IXFN90N85X | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | IXYS | ||
|
IXFN80N50P | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 | IXYS | ||
|
IXFN86N50 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXFN80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN8260P | IGBT Modules | IGBT Module | ||
|
IXFN80N50 | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFP10N60P | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | IXYS | ||
Новости
Больше
16 апреля сообщил, что, согласно «Глобальному отчету о рынке полупроводниковых обо...
Шведский союз, если 10 апреля объявил «Металл», что забастовка Tesla Mechanics является од...
Недавно крупные производители хранения, такие как Micron, Samsung и Western Digital, объявили о ...
В воздухе нормальная объемная доля содержания кислорода составляет около 20,9%, но ...
Недавно, столкнувшись с возможностью ASML (ASML Holding N.V.), перемещая часть своего бизнес...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного ...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.