| IXFN55N50 | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXFN55N50 |
| производитель | IXYS Corporation |
| Описание | MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B |
| Кол-во в наличии | 1010 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | |
| IXFN55N50 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXFN55N50 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXFN55N50 | категория | Дискретные полупроводниковые приборы |
| производитель | IXYS Corporation | Описание | MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B |
| Пакет / чехол | SOT-227 | Кол-во в наличии | 1010 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | SOT-227B |
| Серии | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 625W (Tc) | упаковка | Tube |
| Упаковка / | SOT-227-4, miniBLOC | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Chassis Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 330nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 55A |
| Скачать | IXFN55N50 PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IXFN55N50 Online.
| IXFN55N50 сток | IXFN55N50 Цена | IXFN55N50 Электроника | |||
| IXFN55N50 Компоненты | IXFN55N50 Инвентарь | IXFN55N50 Digikey | |||
| Поставщик IXFN55N50 | Заказать IXFN55N50 онлайн | Запрос IXFN55N50 | |||
| IXFN55N50 Image | IXFN55N50 фото | IXFN55N50 PDF | |||
| IXFN55N50 Datasheet | Скачать таблицу IXFN55N50 | Производитель IXYS Corporation | |||
| Связанные части для IXFN55N50 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXFN50N80 | IGBT Modules | IXYS | ||
 |
IXFN60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN50N60U1 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN55N49 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 | IXYS | ||
|
IXFN50N60 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B | IXYS | ||
|
IXFN56N90P | MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN58N50 | IXYS New | IXYS | ||
 |
IXFN60GT60JRDX | IGBT Modules | APT | ||
|
IXFN52N90P | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 | IXYS | ||
|
IXFN50N60UI | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN54N25 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN55N48 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B | IXYS RF | ||
|
IXFN61N50 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | IXYS | ||
|
IXFN60N80 | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXFN60N50L2 | IXYS New | IXYS | ||
Новости
Больше
Поскольку технологические достижения и информационный возраст прибывают, оптиче...
16 апреля сообщил, что, согласно «Глобальному отчету о рынке полупроводниковых обо...
Шведский союз, если 10 апреля объявил «Металл», что забастовка Tesla Mechanics является од...
Недавно крупные производители хранения, такие как Micron, Samsung и Western Digital, объявили о ...
В воздухе нормальная объемная доля содержания кислорода составляет около 20,9%, но ...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного ...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.