| IXER35N120D1 | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXER35N120D1 |
| производитель | IXYS Corporation |
| Описание | IGBT 1200V 50A 200W TO247 |
| Кол-во в наличии | 2936 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | |
| IXER35N120D1 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXER35N120D1 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXER35N120D1 | категория | Дискретные полупроводниковые приборы |
| производитель | IXYS Corporation | Описание | IGBT 1200V 50A 200W TO247 |
| Пакет / чехол | Bulk | Кол-во в наличии | 2936 pcs |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 1200V | Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.8V @ 15V, 35A |
| режим для испытаний | 600V, 35A, 39 Ohm, 15V | Td (вкл / выкл) при 25 ° C | - |
| Переключение энергии | 5.4mJ (on), 2.6mJ (off) | Поставщик Упаковка устройства | ISOPLUS247™ |
| Серии | - | Обратное время восстановления (ТИР) | 80ns |
| Мощность - Макс | 200W | упаковка | Bulk |
| Упаковка / | ISOPLUS247™ | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | NPT | Заряд затвора | 150nC |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | - | Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 50A |
| Скачать | IXER35N120D1 PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IXER35N120D1 Online.
| IXER35N120D1 сток | IXER35N120D1 Цена | IXER35N120D1 Электроника | |||
| IXER35N120D1 Компоненты | IXER35N120D1 Инвентарь | IXER35N120D1 Digikey | |||
| Поставщик IXER35N120D1 | Заказать IXER35N120D1 онлайн | Запрос IXER35N120D1 | |||
| IXER35N120D1 Image | IXER35N120D1 фото | IXER35N120D1 PDF | |||
| IXER35N120D1 Datasheet | Скачать таблицу IXER35N120D1 | Производитель IXYS Corporation | |||
| Связанные части для IXER35N120D1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXEH25N120 | IGBT 1200V 36A 200W TO247AD | IXYS | ||
 |
IGW25T120 | IGW25T120 Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
 |
IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B | IXYS | ||
 |
IXE5216EC.C0 | INTEL BGA | INTEL | ||
 |
IXEN60N120 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B | IXYS | ||
 |
APT25GN120SG | IGBT 1200V 67A 272W D3PAK | Microsemi Corporation | ||
|
IXEN35N120D1 | IGBT Modules | IXYS | ||
 |
IXE2412EA-C1 | IXE | |||
|
IXEH25N120D1 | IGBT 1200V 36A 200W TO247AD | IXYS | ||
|
IXE611S1T/R | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | IXYS | ||
|
IXEH48N49 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXEH40N120 | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD | IXYS | ||
 |
IXEL40N400 | IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5 | IXYS | ||
|
IXE611P1 | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | IXYS | ||
|
IXEN200N60A | IGBT Modules | IXYS | ||
|
IXE5216EC A2 | INTEL BGA | INTEL | ||
 |
IXER60N120 | IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247 | IXYS | ||
|
IXE2426ECI | INTEL BGA | INTEL | ||
|
IXEH40N120D1 | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD | IXYS | ||
|
IXE611S1 | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | IXYS | ||
Новости
Больше
Поскольку технологические достижения и информационный возраст прибывают, оптиче...
16 апреля сообщил, что, согласно «Глобальному отчету о рынке полупроводниковых обо...
Шведский союз, если 10 апреля объявил «Металл», что забастовка Tesla Mechanics является од...
Недавно крупные производители хранения, такие как Micron, Samsung и Western Digital, объявили о ...
В воздухе нормальная объемная доля содержания кислорода составляет около 20,9%, но ...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного ...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.