DMN3112SSS-13 | |
---|---|
Тип продуктов | DMN3112SSS-13 |
производитель | Diodes Incorporated |
Описание | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
Кол-во в наличии | 40396 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | DMN3112SSS-13.pdf |
DMN3112SSS-13 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация DMN3112SSS-13 | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | DMN3112SSS-13 | категория | Дискретные полупроводниковые приборы |
производитель | Diodes Incorporated | Описание | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
Пакет / чехол | Tape & Reel (TR) | Кол-во в наличии | 40396 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP | Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 5.8A, 10V | Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta) |
упаковка | Tape & Reel (TR) | Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 268pF @ 15V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Ta) |
Скачать | DMN3112SSS-13 PDF - EN.pdf |
DMN3112SSS-13 сток | DMN3112SSS-13 Цена | DMN3112SSS-13 Электроника | |||
DMN3112SSS-13 Компоненты | DMN3112SSS-13 Инвентарь | DMN3112SSS-13 Digikey | |||
Поставщик DMN3112SSS-13 | Заказать DMN3112SSS-13 онлайн | Запрос DMN3112SSS-13 | |||
DMN3112SSS-13 Image | DMN3112SSS-13 фото | DMN3112SSS-13 PDF | |||
DMN3112SSS-13 Datasheet | Скачать таблицу DMN3112SSS-13 | Производитель Diodes Incorporated |
Связанные части для DMN3112SSS-13 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
DMN3110S-7 MOS | DIODES SOT-23 | DIODES | |||
DMN3135LVT | DMN3135LVT DIODES | DIODES | |||
DMN313DLT | DMN313DLT VB | VB | |||
DMN3112SSS-13-F | DMN3112SSS-13-F DIODES | DIODES | |||
DMN3135LVT-7 MOS | DIODES TSOT26 | DIODES | |||
DMN3112S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 | Diodes Incorporated | |||
DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | Diodes Incorporated | |||
DMN3115UDM-7 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 | Diodes Incorporated | |||
DMN3115UDM | DMN3115UDM DIODES | DIODES | |||
DMN313DLT-7 | MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523 | Diodes Incorporated | |||
DMN3110S | DMN3110S VB | VB | |||
DMN3112S-7-F | DMN3112S-7-F DIODES | DIODES | |||
DMN3112SQ-7 | DMN3112SQ-7 VB | VB | |||
DMN3110LCP3 | DMN3110LCP3 DIODES | DIODES | |||
DMN3110LCP3-7 | MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3 | Diodes Incorporated | |||
DMN3115UDM-7-F | DMN3115UDM-7-F DIODES | DIODES | |||
DMN3110S MOS | VBSEMI SOT-23 | VBSEMI | |||
DMN3135LVT-7 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 | Diodes Incorporated | |||
DMN313DLT MOS | VBSEMI SOT-523 | VBSEMI | |||
DMN30H4D1S-7 | DIODES New | DIODES |
Новости
Больше16 апреля сообщил, что, согласно «Глобальному отчету о рынке полупроводниковых обо...
Шведский союз, если 10 апреля объявил «Металл», что забастовка Tesla Mechanics является од...
Недавно крупные производители хранения, такие как Micron, Samsung и Western Digital, объявили о ...
В воздухе нормальная объемная доля содержания кислорода составляет около 20,9%, но ...
Недавно, столкнувшись с возможностью ASML (ASML Holding N.V.), перемещая часть своего бизнес...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного ...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.