| Тип продуктов |
GRM55D7U2J473JW31L |
IRF840PBF |
| производитель |
Murata Electronics |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание |
CAP CER 0.047UF 630V U2J 2220 |
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB |
| Кол-во в наличии |
2606 |
13379 |
| Листки |
1.GRM55D7U2J473JW31L.pdf2.GRM21BR71A225KA01L.pdf |
1.HFA08TB60PBF.pdf2.BSO203PHXUMA1.pdf |
| Скачать |
|
|
| Напряжение - Номинальный |
630V |
|
| Толерантность |
±5% |
|
| Толщина (макс) |
0.087" (2.20mm) |
|
| Температурный коэффициент |
U2J |
|
| Размер / Dimension |
0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm) |
|
| Серии |
GRM |
HEXFET® |
| Рейтинги |
- |
|
| Упаковка / |
2220 (5750 Metric) |
TO-220-3 |
| Упаковка |
Tape & Reel (TR) |
Tube |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 125°C |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки |
Surface Mount, MLCC |
Through Hole |
| Ведущий стиль |
- |
|
| Шаг выводов |
- |
|
| Высота - Сидящая (Макс) |
- |
|
| Особенности |
- |
|
| емкость |
0.047 µF |
|
| Базовый номер продукта |
GRM55D7U2J |
|
| Приложения |
General Purpose |
|
| Vgs (й) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
|
| Vgs (макс.) |
±20V |
|
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Поставщик Упаковка устройства |
TO-220AB |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
850mOhm @ 4.8A, 10V |
|
| Рассеиваемая мощность (макс) |
125W (Tc) |
|
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds |
1300 pF @ 25 V |
|
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs |
63 nC @ 10 V |
|
| Тип FET |
N-Channel |
|
| FET Характеристика |
- |
|
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Слить к источнику напряжения (VDSS) |
500 V |
|
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
8A (Tc) |
|
