MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT Сравнить C0603C0G1E0R9B030BF

Техническая информация

Тип продуктов MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT C0603C0G1E0R9B030BF
производитель Micron Technology TDK Corporation
Описание IC FLASH RAM 2GBIT PAR 137TFBGA CAP CER 0.9PF 25V C0G 0201
Кол-во в наличии 2502 2564
Листки 1.IDT71V2556S150PF.pdf2.MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT.pdf3.M25P10-AVMN6P.pdf4.RC28F160C3BD70A.pdf 1.C0603C0G1E0R2B030BF.pdf2.C0603C0G1E0R2B030BF.pdf3.C0603C0G1E0R3B030BF.pdf4.C1005C0G1H100D050BA.pdf
Скачать
Время цикла записи - слово, страница -  
Напряжение тока - поставка 1.7V ~ 1.95V  
Технологии FLASH - NAND, Mobile LPDRAM  
Поставщик Упаковка устройства 137-TFBGA (10.5x13)  
Серии - C
Упаковка / 137-TFBGA 0201 (0603 Metric)
Упаковка Bulk Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA) -55°C ~ 125°C
Тип установки Surface Mount Surface Mount, MLCC
Тип памяти Non-Volatile, Volatile  
Размер памяти 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDRAM)  
Организация памяти 128M x 16 (NAND), 32M x 32 (LPDRAM)  
Интерфейс памяти Parallel  
Формат памяти FLASH, RAM  
Тактовая частота 200 MHz  
Базовый номер продукта MT29C2G24  
Напряжение - Номинальный 25V  
Толерантность ±0.1pF  
Толщина (макс) 0.013' (0.33mm)  
Температурный коэффициент C0G, NP0  
Размер / Dimension 0.024' L x 0.012' W (0.60mm x 0.30mm)  
Рейтинги -  
Ведущий стиль -  
Шаг выводов -  
Высота - Сидящая (Макс) -  
Особенности High Q, Low Loss  
Интенсивность отказов -  
емкость 0.9 pF  
Приложения RF, Microwave, High Frequency  

Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.